metalgate製程

我們發現對元件的High-K-Metalgate界面作CF4電漿處理，並在製程中施加較低溫的PMA，可得到功函數較高的元件。CF4電漿處理能提升金屬閘極元件的功函數，需注意的是，當 ...,2007年12月24日—而其中已導入的high-k/metalgate材料製程，可以控制金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)之閘極(gate)電壓，克服了阻礙high-k/metalgate實用化的最大 ...,本發明係有關於一種具有金屬閘極(metalgate)之...隨後進行另一CVD製程或PVD製程，於...

參考資訊如下
金屬閘極與高介電層界面製程對高功函數 ...

我們發現對元件的High-K-Metal gate 界面作CF4 電漿處理，並在製程中施加較低溫的PMA，可得到功函數較高的元件。CF4 電漿處理能提升金屬閘極元件的功函數，需注意的是，當 ...

32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手

2007年12月24日 — 而其中已導入的high-k/metal gate材料製程，可以控制金屬氧化物半導體場效電晶體(MOS FET)之閘極(gate)電壓，克服了阻礙high-k /metal gate實用化的最大 ...

TW201904063A

本發明係有關於一種具有金屬閘極(metal gate)之 ... 隨後進行另一CVD製程或PVD製程，於基底100上形成一第 ... 最後，如第7圖所示，進行一平坦化步驟P3，例如一CMP製程，用以移 ...

28奈米製程

... 製程技術以採用高介電層／金屬閘極（High-k Metal Gate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能 ...

高介電係數介電質與金屬閘極製程技術之研究與應用

標題: 高介電係數介電質與金屬閘極製程技術之研究與應用. The Investigation and Application of High-κ Dielectrics and Metal Gate Process Technologies.

高介電係數閘極介層技術

兩點，金屬閘極(Metal Gate)的使用已是. Current ... 由專利分析可以發現，高介電係數. 閘極介層的兩大研究方向就是高介電係. 數材料本身，以及與金屬閘極的製程整. 合問題。

Why PolySi → HKMG

2023年6月11日 — Why PolySi to HKMG. High-K Metal Gate; 隨元件/製程微縮，接近導體的PolySilicon (N+/P+ Poly-Si)問題越明顯。因為本質是半導體，在小尺寸下，閘極 ...

高介電常數金屬閘極（High

2019年8月5日 — ... 閘極尺寸縮小和金屬導線材料由Al 轉為Cu ，可以有效的提高元件運作速度和晶片效能；但是進一步縮小製程技術到28 nm 和20 nm，閘極介電層材料的改變帶 ...

淺談先進電晶體：新一輪晶片製程中，誰勝出？有何發展趨勢？

2022年1月21日 — ... metal gate），介電層的k 值愈大，氧化層電容 ... 隨著傳統的半導體尺寸微縮，電晶體的閘極長度（gate length）也逐漸減小。 ... 製程，與現今業界之FinFET ...